Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
n⁺ polikristalinio silicio užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n⁺ poly silicon gate vok. n⁺ Poly Si Gate, n rus. затвор из поликристаллического кремния n⁺ типа, m pranc. grille en polysilicium type n⁺, f … Radioelektronikos terminų žodynas
n⁺-Poly-Si-Gate — n⁺ polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n⁺ poly silicon gate vok. n⁺ Poly Si Gate, n rus. затвор из поликристаллического кремния n⁺ типа, m pranc. grille en polysilicium type n⁺, f … Radioelektronikos terminų žodynas
n⁺-poly silicon gate — n⁺ polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n⁺ poly silicon gate vok. n⁺ Poly Si Gate, n rus. затвор из поликристаллического кремния n⁺ типа, m pranc. grille en polysilicium type n⁺, f … Radioelektronikos terminų žodynas
затвор из поликристаллического кремния n⁺-типа — n⁺ polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n⁺ poly silicon gate vok. n⁺ Poly Si Gate, n rus. затвор из поликристаллического кремния n⁺ типа, m pranc. grille en polysilicium type n⁺, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Thin-film transistor — Pour les articles homonymes, voir TFT. Représentations symboliques du TFT à canal N et à canal P Thin film transistor, communément nommé … Wikipédia en Français
Saliciure — Le terme saliciure (de l anglais salicide) désigne une technique utilisée en micro électronique pour former des contacts électriques entre un composant à semi conducteur en silicium et sa structure d interconnexion au reste du circuit électrique … Wikipédia en Français
